三星电子第三季度营业利润预测达到105万亿韩元

三星电子将于 10 月 8 日公布第三季度初步业绩，市场共识预计营收为 200.2577 万亿韩元，营业利润为 105.4137 万亿韩元。这将使该公司有望成为韩国首家季度营业利润达到 100 万亿韩元的企业。预计创纪录的业绩将由常规内存价格持续上涨以及高带宽内存（HBM）竞争力回升所推动。半导体行业正经历超级周期，预计三星电子内存部门本季度营业利润率将超过 80%。

三星电子第三季度共识预测：营收 200 万亿韩元，营业利润 105 万亿韩元

根据韩联社 Infomax 汇总的证券公司数据，过去一个月发布报告的证券公司对三星电子第三季度业绩的共识预期为：营收 200.2577 万亿韩元，营业利润 105.4137 万亿韩元。若预期实现，这将标志着该公司自去年第四季度以来连续第四个季度创下营收和营业利润纪录。仅第三季度营业利润就将超过公司去年全年营业利润的两倍，后者为 43.6 万亿韩元。预计今年前三季度累计营业利润将超过 250 万亿韩元。

半导体部门（DS），尤其是内存业务，预计将继续在本季度保持强劲表现。虽然设备体验部门（DX）在第二季度录得有史以来首次营业亏损，但预计 DS 部门将推动公司整体盈利能力，使营业利润率达到 75%。业内观察人士预计，内存业务部门的营业利润率将超过 80%。

内存价格创历史最高价，DRAM 达到 26 美元，NAND 连续 21 个月上涨

内存供应短缺推动 DRAM 和 NAND 闪存价格在第三季度持续上涨。据市场研究公司 DRAMeXchange 数据，9 月份 PC DRAM 平均价格达到 26 美元，较上月上涨 1 美元，创下历史最高价。内存卡和 USB NAND 的平均价格为 30.6 美元，环比上涨 0.1 美元，连续 21 个月上涨。

预计这一上涨趋势将延续至第四季度。市场研究公司 TrendForce 预计，常规 DRAM 价格将在第四季度环比上涨 10%—15%，而 NAND 价格预计同期上涨 15%—20%。

HBM4 开始大规模生产，分析师预计明年销售价格将翻倍以上

三星电子已成为全球首家开始大规模生产 HBM4 的公司，预计该产品线将为盈利改善作出重要贡献。HBM 合同通常按一年期限签订，这导致近期常规 DRAM 价格上涨未能完全反映在 HBM 定价中。不过，预计价格将从明年开始大幅上涨。

KB 证券研究部门负责人 Kim Dong-won 表示：“三星电子的 HBM4 很可能以三家 DRAM 制造商中最高的价格签订合同。”他还补充称：“三星电子明年的 HBM 销售价格将较今年上涨一倍以上。”

常见问题

三星电子将于 10 月 8 日公布什么业绩？

三星电子将于 10 月 8 日公布第三季度初步业绩，市场共识预计营收为 200.2577 万亿韩元，营业利润为 105.4137 万亿韩元。

为什么预计三星电子内存部门第三季度利润率将超过 80%？

内存部门的高利润率将由常规内存产品价格持续上涨推动。PC DRAM 9 月份平均价格达到创纪录的 26 美元，而由于供应短缺，NAND 价格已连续 21 个月上涨。

KB 证券分析师 Kim Dong-won 对三星明年的 HBM 定价有何看法？

Kim Dong-won 表示，三星电子的 HBM4 合同很可能以三家 DRAM 制造商中最高的价格签订，且三星明年的 HBM 销售价格将较今年上涨一倍以上。