DS Securities 分析师 Lee Su-rim 表示,尽管存储半导体公司发布了激进的资本开支计划,但市场对 DRAM 供给过剩的担忧被认为是过度的。该分析师基于其中长线供需分析预测,到 2035 年即便当前所有已公布的投资计划都能如期落地,供给短缺仍将从 2031 年起再次扩大。DS Securities 维持其板块超配评级,并将三星电子股票目标价定为 53 万韩元、将 SK Hynix 股票目标价定为 310 万韩元。
DS Securities 预计 DRAM 供给短缺至 2026 年,且 2031 年后延续
根据 DS Securities 的供需模型,DRAM 市场今年将面临严重的供给短缺,且明年仍将持续短缺。分析师表示,新的产能爬坡将在 2028 年至 2030 年期间暂时增加供给,但市场将于 2031 年回到供给短缺状态。报告指出,若 2032 年之后不再新增建厂,短缺缺口将进一步扩大。
Lee 表示,即便在 2029 年,当供给过剩达到峰值时,供给充足率也仅为 1.4%。分析师解释称,这意味着可能会出现价格调整,但不预计会进入结构性下行周期。
AI DRAM 需求预计到 2035 年达总量的 40%
在需求端,AI 记忆体的结构性扩张被视为关键驱动因素。AI DRAM 目前占据今年总 DRAM 比特需求的 12%,预计该占比将于 2035 年扩张至约 40%。预计总 DRAM 比特需求的年均增速约为 13%。
相对而言,四家 DRAM 公司的实际供给产能增长率(三星电子、SK Hynix、Micron、CXMT)反映了晶圆产能、每片晶圆比特提升以及 HBM 交易比率,年均仅为 11.9%。
Lee 分析称,只要 AI 基础设施市场维持约 20% 的年均长期增长,那么三星电子、SK Hynix 与 Micron 的其中长线产能规划所对应的供给水平是合适的。分析师表示,若不确保额外新产能,则更可能在 2030 年代中期出现供给短缺。
晗南(Honam)晶圆厂时间表评估显示 2035 年前无显著供给
关于近期引发市场关注的晗南半导体晶圆厂(Honam fab),DS Securities 预计 2035 年前不会带来有意义的供给贡献。分析师的评估考虑到,军事机场搬迁将需要相当长的时间;且鉴于三星电子与 SK Hynix 的永仁(Yongin)晶圆厂将于 2029 年同步投产,电力、水、人力以及 EUV 设备投资负担表明,建设最早可能在 2032-2033 年启动,首批量产可能在 2034-2035 年实现。
针对市场担忧,即随着代币成本下降 AI 基础设施投资可能放缓,分析师表示,目前仍为时过早,不能预测会出现供给过剩。Lee 解释称,AI 投资具有明显的特征,即提升广告、搜索和云服务等核心业务的盈利能力;只要维持服务收益率(ROI),投资大概率仍将继续。分析师补充称,即使长期加速器出货增长率放缓,HBM 与 AI 服务器 LPDDR 的产能增加仍将持续。
Lee 表示,考虑到 2022 年至 2024 年期间的投资真空期,目前资本开支的扩张更接近于供给正常化流程。分析师指出,近期公布的大多数大型投资项目要到 2028 年之后才会带来实际供给,因此谈论行业峰值为时尚早。
常见问题(FAQ)
DS Securities 的 DRAM 供给展望至 2035 年如何?
DS Securities 预计 DRAM 供给短缺将继续延续至今年与明年,随后在 2028 年至 2030 年出现阶段性供给过剩,并且到 2029 年的供给充足率仅有 1.4%。分析师表示,供给短缺将于 2031 年回归,并且在 2032 年之后若无新增建厂将进一步扩大。
为何 DS Securities 预计 AI DRAM 需求将在 2035 年达到 40%?
分析师估计,AI DRAM 目前占据今年总 DRAM 比特需求的 12%,并将在 AI 基础设施市场维持约 20% 年均增长的情况下,到 2035 年扩张至约 40%。预计总 DRAM 比特需求将以 13% 的年增速增长,而供给产能仅以 11.9% 的年增速增长。
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