SK海力士投资54.3万亿韩元建设新的DRAM和NAND晶圆厂

SK 海力士宣布将在京畿道龙仁和忠清北道清州建设新的大型存储芯片工厂，总投资额约为 54.3 万亿韩元。公司将投资 35.2 万亿韩元建设龙仁 Y2 DRAM 生产设施，并投资 19.1 万亿韩元建设清州 M17 NAND 闪存生产设施。这些投资表明，其存储芯片销售策略正从“以高价销售少量产品”转向“以适当价格销售适当数量的产品”，同时也考虑到市场的可持续性以及集团关联公司的采购需求——这些关联公司必须购买配备存储芯片的昂贵 AI 加速器。

SK 海力士向龙仁和清州工厂投资 54.3 万亿韩元

据业内消息，SK 海力士决定分别投资约 35.2 万亿韩元和 19.1 万亿韩元，建设龙仁 Y2 和清州 M17 工厂。

龙仁 Y2 是 SK 海力士计划在龙仁半导体集群内建设的四座工厂中的第二座。该 DRAM 生产基地总建筑面积为 34 万坪。预计明年 7 月动工，首个洁净室计划于 2029 年 6 月投入使用。该设施将生产包括 HBM（高带宽存储器）在内的下一代 DRAM。Y1 目前正在建设中，目标是于明年 2 月启用洁净室。

清州 M17 是 NAND 闪存生产基地。该设施总建筑面积为 20.6 万坪，预计明年 2 月动工，首个洁净室计划于 2028 年 12 月投入使用。投资期限延续至 2031 年 4 月，并将根据业务计划分阶段实施。清州园区目前已设有 M11、M12 和 M15 NAND 生产设施。

一名 SK 海力士官员表示：“这项投资是为了跟上市场增长步伐、不让机遇从眼前溜走而作出的决定。”他还表示：“通过提前扩大生产基地，我们将确立自身作为 AI 基础设施核心合作伙伴的地位，为全球 AI 半导体供应链的稳定作出贡献。”

崔泰源会长主张通过增加供应降低存储芯片价格

SK 海力士一直强调存储芯片市场稳定的重要性。SK 集团会长崔泰源上月在济州新罗酒店举行的韩国商工会议所夏季论坛上表示：“存储芯片价格必须下降。目前的价格是不正常的。”得益于存储芯片价格高企，SK 海力士一直取得创纪录的业绩。然而，崔会长解释称，高价格可能会对半导体企业不利。

这一观点认为，存储芯片价格过高导致智能手机等产品出现“芯片通胀”，可能引发消费者反弹，并促使海外客户和政府采取限制措施。日本半导体产业此前就曾受到美国政府的集中限制。

崔会长还担心，存储芯片企业持续保持高盈利能力，可能吸引新的竞争者进入生产领域。他表示：“如果我们只是一味提高价格而不建设工厂，市场就会萎缩，新参与者也必然会加入进来。”崔会长强调：“我们必须增加供应以降低价格。”他指出，当供应量和市场规模同步增长时，总销售额也可以增加。

证券公司也给出了类似分析。韩国投资证券研究员蔡敏淑指出：“DRAM 价格在一年内上涨了五倍，以通用 DRAM 为基础计算，供应商的毛利率已经超过 90%。”她还表示：“在这一水平下，进一步提价对利润率改善的作用有限，同时会增加客户抵触价格上涨以及短期需求萎缩的可能性。”

SK 电讯计划在存储芯片成本稳定后扩大 AI 数据中心业务

存储芯片价格过高给 SK 集团层面带来了挑战。由 SK 电讯主导推进的 AI 数据中心业务成本正在增加。存储芯片价格上涨会推高 AI 加速器价格，从而需要为建设 AI 数据中心投入更多资金。

SK 电讯上月成立了新的 AI 数据中心开发商 SK Hyper，以加快抢占业务先发优势。SK 集团计划到 2029 年陆续启用总规模达 5 吉瓦（GW）的数据中心，首先是目前正在蔚山建设的 AI 数据中心。考虑到市场需求，该集团还计划到 2035 年开发总规模达 15GW 的 AI 数据中心。

如果存储芯片价格趋于稳定，SK 集团的 AI 数据中心业务将实现更好的盈利能力。SK 电讯计划与 AI 加速器公司英伟达合作，面向全球市场建设 AI 基础设施。SK 电讯将从配备 SK 海力士存储芯片的英伟达 Blackwell 平台开始，支持 AI 训练和推理，并计划使用英伟达最新的 Vera Rubin 平台。该平台预计于今年下半年供货。

一名 SK 电讯官员表示：“我们的愿景是成为英伟达在韩国以外的整个亚洲地区所需的 AI 基础设施和业务网络核心合作伙伴，并实际提供相关服务，从而成长为亚洲具有代表性的 AI 云运营商之一。”

常见问题

问：SK 海力士新工厂的投资总额是多少？

答：SK 海力士决定总计投资约 54.3 万亿韩元，其中 35.2 万亿韩元用于龙仁 Y2 DRAM 工厂，19.1 万亿韩元用于清州 M17 NAND 工厂。

问：龙仁 Y2 和清州 M17 工厂何时启用首个洁净室？

答：龙仁 Y2 工厂计划于明年 7 月动工，首个洁净室计划于 2029 年 6 月投入使用。清州 M17 工厂计划于明年 2 月动工，首个洁净室计划于 2028 年 12 月投入使用。