存储芯片股反弹，因 SK 海力士计划在 2034 年前将晶圆产能提高 3 倍

内存芯片股票周四盘前交易上涨，领涨者为美光（Micron）股价上涨 3.6%。此前，受美国-伊朗紧张局势影响，相关股价在近期多个交易日下跌。此次反弹发生在周三美国对伊朗发动打击之后，此举引发了更广泛的市场抛售；标普 500 指数下跌 1.6%。涨势与 SK 海力士（SK Hynix）宣布计划在 2034 年前将晶圆产能提升至三倍的消息同步，强化了由 AI 增长和数据中心建设推动的强劲需求预期。

内存芯片股票周四盘前走高

美光（Micron）股价在周四盘前交易中上涨 3.6%。SanDisk 股价上涨 3.3%，希捷科技（Seagate Technology）股价上升 2%，西部数据（Western Digital）股价攀升 2.6%。追踪内存类公司的 Roundhill Memory ETF（DRAM）上涨 4.5%。

周三，美国对伊朗发动打击，目标包括霍尔木兹海峡附近的防空与雷达设施。德黑兰方面回应称，已将这条关键水道关闭，禁止所有海上交通。尽管地缘政治紧张局势存在，但美国股指期货在周四盘前交易中走高。

MU 股价较上周的峰值下跌约 18%。WDC、STX 和 SNDK 等股票也出现类似回调，吸引投资者关注。

SK 海力士宣布：2034 年前晶圆产能将翻三倍

韩国内存巨头 SK 海力士表示，周三公司计划在 2034 年前将其晶圆产能提高至三倍。SK 集团董事长 蔡泰源（Chey Tae-won）在接受《日经》（Nikkei）采访时称，公司预计其晶圆产能将在未来五年内翻倍，并最终在约 2034 年实现三倍增长。该公司正通过大幅扩张产能来积极推进这一计划。

蔡泰源补充称，需求增长之快令部分行业观察人士认为，即便是这种扩张幅度也可能不足以满足需求。

各类内存芯片股票的零售情绪仍呈混合

在 Stocktwits 上，针对 MU 的零售情绪为“中性”，针对 WDC 和 SNDK 为“看空”，而针对 STX 为“极度看空”。DRAM 的零售情绪为“中性”。

一名交易者在 Stocktwits 上表示：“$DRAM 越是被宏观噪音、地缘政治不确定性以及迫在眉睫的被过度炒热的 SpaceX IPO 所压制，接下来那一段上涨就会越猛烈。到本月底，等 MU ER 之后，我们就会一路驶向 100+ 美元。”

美光计划于 6 月 24 日公布其季度业绩。Daiwa 将 MU 的目标价从 700 美元上调至 1,600 美元，这意味着对其周三收盘价的预期涨幅为 80%。相比之下，分析师的平均目标价为 811.23 美元，比当前股价水平低 9%。

美光股价年初至今上涨 212%。自 4 月 2 日上市以来，DRAM 已累计上涨约 100%。

常见问题

是什么导致内存芯片股票在周四盘前上涨？

内存芯片股票在周四盘前交易走高，原因是此前数个交易日因美国-伊朗紧张局势而下跌。美光（Micron）领涨，股价上涨 3.6%，而 Roundhill Memory ETF（DRAM）上涨 4.5%。反弹发生在美国股指期货转为走高的同时，尽管周三对伊朗发动了打击。

SK 海力士就产能扩张宣布了什么？

SK 海力士表示，公司计划在 2034 年前将晶圆产能提高至三倍。SK 集团董事长 蔡泰源（Chey Tae-won）告诉《日经》（Nikkei），公司预计其晶圆产能将在未来五年内翻倍，并最终在约 2034 年实现三倍增长。他指出，需求增长速度之快使得一些行业观察人士认为，即便是这种扩张水平也可能不足。

美光何时公布季度业绩？

美光计划于 6 月 24 日公布季度业绩。Daiwa 将 MU 的目标价从 700 美元上调至 1,600 美元，这意味着对其周三收盘价的预期涨幅为 80%。