高盛大幅上调 WFE 至 2028 年：AI 超级周期能否延续？ASML、AMAT、LRCX 全解析

当华尔街还在争论AI资本开支何时见顶时，高盛用一份大幅上修的预测给出了最明确的答案。

2026年8月25日，就在全球资本市场静待英伟达财报揭晓的前夕，高盛将2026至2028年全球晶圆厂设备支出预期分别暴力上调至1,500亿美元、2,180亿美元和2,810亿美元。这一远超市场预期的调整，瞬间将“半导体设备周期是否见顶”的争议彻底击碎。AI需求正从单一的GPU算力向HBM、先进制程及先进封装全面外溢，推动DRAM供给紧张局面延续至2028年。面对即将到来的超级周期，产业链上的设备巨头——从ASML、应用材料到东京电子、Disco——其受益逻辑与增长空间究竟如何拆解？本文将深入高盛报告内核，为您厘清半导体设备投资的底层架构。

预期差正在收窄，但高盛选择继续加注

2026年8月25日，英伟达财报发布前夕，高盛再度上调全球晶圆厂设备支出预测，将2026至2028年WFE预期分别调至1,500亿美元、2,180亿美元和2,810亿美元，同比增速从此前的32%、32%、12%全面上修至36%、45%、29%。

上调的直接催化剂是刚刚落幕的第二季度财报季——半导体企业资本开支普遍超预期，设备厂商的前瞻指引趋于乐观。但高盛此次调整的幅度和决心，透露出一个更深层的判断：半导体设备并非处在周期的末端，而是正进入由AI结构性需求支撑的超级周期。

需求传导链条：从GPU到HBM再到晶圆厂

AI对半导体设备的需求拉动，并非简单的一一对应关系。它沿着一套完整的传导机制层层扩散——从数据中心GPU采购，延伸到HBM、DRAM、企业级SSD，再传导至晶圆代工和存储制造端的资本开支。

Lam Research的测算提供了一个量化锚点：每1，000亿美元的数据中心资本开支，对应约90至100亿美元的WFE需求。随着AI训练和推理算力需求持续攀升，全球头部云服务厂商的资本开支预期不断上修，这一传导链条的乘数效应正在被持续放大。

更重要的是，AI需求已从最初聚焦的先进逻辑芯片，向HBM、DRAM、企业级SSD、高层数NAND及先进封装多个环节全面扩散。这种扩散意味着，每新增一美元AI基础设施投入，所撬动的半导体设备需求覆盖范围更广、层级更深。

三大驱动力支撑WFE持续扩张至2028年

高盛将2028年WFE支出预期推高至2,810亿美元，背后是三股结构性力量的叠加。

第一大驱动力是代工端先进制程的密集投入。 晶圆代工领域2026至2028年WFE预测被分别上调至580亿美元、840亿美元和1，090亿美元，同比增速从原预测的30%、30%、16%显著提升至45%、45%、30%。上调的核心来源是台积电——高盛将其未来三年每年资本开支预测上调80亿美元，主因N2制程设备投入强度高于预期且客户需求持续旺盛。

第二大驱动力是DRAM与HBM的扩产浪潮。 高盛将2026至2028年DRAM设备投资预测上调至480亿美元、720亿美元和970亿美元，同比增速分别高达50%、50%和35%。分析师Giuni Lee将三星电子2026至2028年平均DRAM资本开支预测上调22%，SK海力士上调19%。

HBM4的技术迁移和产能扩张是这一判断的核心依据。HBM并非传统意义上的标准DRAM，而是采用TSV硅通孔技术多层堆叠、与AI加速器高度绑定的高带宽内存。其制造不仅涉及前道晶圆制造，还大量依赖先进封装中的刻蚀、电镀、减薄、切割、检测等工序。高盛预计DRAM供给紧张局面将持续至2028年，这将使存储厂商的资本开支长期维持高位。

第三大驱动力是逻辑芯片及其他领域的中长期增量。 高盛将2026至2028年Logic/Other板块WFE预测上调至340亿美元、470亿美元和530亿美元，2027年和2028年预测分别较此前上调34%和43%。上调因素包括英特尔需求改善、成熟制程复苏，以及SpaceX与特斯拉Terafab项目的168亿美元建设承诺被纳入测算。

主要半导体设备公司横向对比：业务逻辑各不相同

在整个产业链中，不同设备公司的受益逻辑和业务侧重存在显著差异。

ASML是光刻环节的绝对垄断者，其EUV光刻机是7纳米及以下先进制程不可替代的核心设备。台积电N2制程扩产直接拉动EUV需求，使ASML成为先进逻辑投资最直接的风向标。截至北京时间2026年8月25日，据 Gate 股票行情数据显示，ASML股价报1,737.63美元。

来源： Gate 股票行情数据

应用材料（AMAT） 的业务版图最为广泛，涵盖原子层沉积、化学气相沉积、物理气相沉积、快速热处理、CMP、晶圆刻蚀、离子注入等几乎全部前道制造环节。这种全链条布局使其能够受益于逻辑、存储、封装各条线的设备需求。截至北京时间2026年8月25日，据 Gate 股票行情数据显示，AMAT报483.03美元，市盈率约41.76倍，52周高点为739.67美元，低点为154.46美元。

来源：Gate 股票行情数据

泛林半导体（LRCX） 的重心更偏向刻蚀、清洗、图形化与关键薄膜制程，尤其在3D NAND所需的高深宽比刻蚀与沉积领域具有技术优势。Lam将2026年先进封装业务增速预期从40%以上大幅上调至70%以上，主要受HBM、2.5D/3D封装及客户提前释放产能需求驱动。截至北京时间2026年8月25日，据 Gate 股票行情数据显示，LRCX报309.07美元，市盈率约53.84倍，52周高点为438.50美元。

来源：Gate 股票行情数据

日本设备商则是另一条重要主线。日本半导体制造装置协会预计，日本制半导体制造设备2026财年销售额将同比增长12%，达到5.5004万亿日元。Tokyo Electron在涂布显影、热处理、键合等环节拥有广泛产品组合；Disco在切割、研磨、减薄等先进封装必需工序中占据领先地位；Lasertec的ACTIS检测平台随先进制程推进而重要性持续提升。这些日本厂商在各自细分领域的高市场占有率，使其能够充分受益于AI扩产的结构性需求。

来源：Gate 股票行情

估值与增长预期：股价已涨，但尚未透支

截至北京时间2026年8月25日，主要设备公司估值水平如下：

• ASML：约54.09倍预期市盈率，市值约 6,734.9 亿美元
• AMAT：约41.76倍预期市盈率，市值约3,842.5亿美元
• LRCX：约53.84倍预期市盈率，市值约3,881.2亿美元

考虑到2026至2028年WFE增速分别为36%、45%、29%，当前估值水平并未呈现明显泡沫化特征。

更重要的是，订单能见度正持续改善。据Lam管理层披露，头部客户已围绕新增晶圆厂及洁净室投产节奏，与设备厂商提前规划2027年及以后的设备采购，相关订单已按照正常甚至更长交付周期推进。预计至2027年底，全球逻辑及存储领域仍有8至10座新晶圆厂陆续投产。设备厂商的中期收入可见性正在不断增强。

本轮半导体设备周期的核心驱动力已不再是简单的库存回补或周期性复苏，而是由AI算力基础设施建设、HBM技术升级、先进制程持续迁移等多重结构性因素共同支撑的超级周期。高盛将WFE支出预期上调至2028年，背后是对这些结构性力量持续性的判断。

当然，周期运行并非没有风险。出口管制政策、终端AI需求不及预期、晶圆厂扩产节奏放缓等因素，均可能对设备订单造成扰动。但就当前可见的订单能见度和扩产计划而言，半导体设备行业的景气上行逻辑尚未出现根本性动摇。

FAQ

高盛上调WFE支出预期的核心依据是什么？

主要依据来自2026年第二季度财报季——半导体企业资本开支普遍超预期，设备厂商指引趋于乐观。台积电N2制程扩产（每年上调80亿美元资本开支）、三星与SK海力士DRAM扩产（资本开支预测分别上调22%和19%），以及Terafab项目等新需求纳入，共同构成上调基础。

HBM扩产为何对半导体设备需求影响如此显著？

HBM是采用TSV硅通孔技术多层堆叠的高带宽内存，其制造不仅需要前道晶圆制造设备，还大量依赖先进封装设备，包括刻蚀、电镀、减薄、切割、检测等后道工序。HBM4技术迁移将进一步增加每颗芯片所需的工艺步骤，对设备需求的拉动幅度远超传统DRAM。

ASML、AMAT、LRCX的业务定位有何本质区别？

ASML专注于光刻领域，EUV是先进制程不可替代的核心设备；AMAT产品线覆盖沉积、刻蚀、热处理、CMP等几乎全部前道环节，业务最分散；LRCX侧重刻蚀、清洗和薄膜沉积，在3D NAND高深宽比刻蚀领域技术领先，同时积极布局先进封装设备。

日本半导体设备公司的优势集中在哪些环节？

日本厂商在检测（Lasertec的ACTIS平台）、CMP、切割研磨（Disco）、涂布显影与热处理（Tokyo Electron）等细分领域拥有高市场份额。这些环节在先进制程和先进封装中的重要性持续提升，使日本设备商成为AI扩产的结构性受益者。

半导体设备股当前估值是否已过高？

以当前市盈率衡量，ASML约55.67倍、AMAT约41.76倍、LRCX约53.84倍。考虑到2026至2028年行业增速及订单能见度持续改善，当前估值水平并未明显泡沫化。但若终端AI需求或晶圆厂扩产节奏不及预期，估值仍面临修正风险。