SK 海力士股价自 6 月以来下跌 35%，与三星和美光走势背离

新韩证券分析师李相渊于10月12日表示，自6月以来，KOSPI跑输美国费城半导体指数（SOX），主要原因在于汇率影响以及 SK 海力士的跑输表现。KOSPI从6月22日的收盘高点9,114.55下跌了27%，而 SOX 下跌了14%；但若考虑同期韩元兑美元汇率从1,537升至1,344、即韩元升值的影响，二者的差距将收窄至3个百分点。按美元计算，SK 海力士下跌了35%，跌幅超过三星电子和美光15%至16%跌幅的两倍。这种分化被归因于存储芯片盈利驱动因素从高带宽存储器（HBM）转向普通 DRAM，以及 SK 海力士7月约40万亿韩元规模的 ADR 上市带来的供给压力。该分析师指出，三星电子扩大 HBM4 供应加剧了竞争。随着明年的 HBM 供应价格谈判仍未完成，这可能侵蚀 SK 海力士的定价溢价。

KOSPI自6月22日下跌27%，而 SOX 下跌14%；汇率调整后差距收窄至3个百分点

KOSPI于6月22日创下9,114.55的收盘高点，随后下跌27%，而同期 SOX 下跌14%。美元兑韩元汇率在此期间从1,537降至1,344，意味着韩元升值，使 KOSPI 以美元计价的跌幅降至17%。李相渊表示：“这种分化并不是指数整体存在问题，而是汇率影响与 SK 海力士跑输表现共同作用的结果。”

SK 海力士按美元计算下跌35%，与三星电子和美光出现分化

按美元计算，三星电子和美光同期分别下跌16%和15%，走势相近，而 SK 海力士下跌了35%。李相渊指出：“从7月10日美国 ADR 上市到7月29日公布第二季度业绩期间，差距大部分已经拉开。即使存储芯片股票随后反弹，这一差距也没有收窄。”该分析师表示，业务构成和供需因素对 SK 海力士跑输的影响，大于行业整体状况。

分析师称 HBM 竞争和 ADR 供给压力是关键因素

普通 DRAM 价格上涨有利于普通产品占比较高的三星电子和美光，而 SK 海力士的 HBM 占比较高。由于长期供应合同中的价格已经预先确定，SK 海力士从价格上涨中获得的收益受到限制。李相渊将三星电子扩大 HBM4 供应视为额外负担，并表示：“在明年的 HBM 供应价格谈判仍未完成之际，SK 海力士的溢价正在缩小。”

该分析师强调，7月 ADR 上市带来了约40万亿韩元规模的新股发行，并指出：“与三星电子的最大差距出现在 ADR 上市后不久。”他总结道：“大规模公开发行恰逢股价高点，因此获利了结卖盘集中出现。”海外投资者的需求可能部分从国内股票转向 ADR，也构成了一项负担。

新韩证券指出第三季度业绩公布是关键信号

李相渊表示，SK 海力士与三星电子的股价差距能否收窄，取决于 HBM 合同条款和额外股东回报，同时还需要确认业务构成及供需方面对 SK 海力士不利的因素正在得到解决。该分析师指出：“尽管库存股回购支撑了股价，但关键在于回购结束后，哪个投资者群体将填补供需缺口。”

他还强调，公司已表示将在公布第三季度业绩时宣布特别股息等额外回报措施。10月底公布的业绩将同时揭示明年 HBM 定价和供应量对盈利的影响，以及额外股东回报的规模和时间表。李相渊表示：“现在需要的不是预先判断哪一方会反弹，而是确认能够指示差距走向的信号。”他补充道：“首先需要确认的是 SK 海力士10月底公布的第三季度业绩。”

常见问题

为什么自6月22日以来，SK 海力士股票跌幅超过三星电子和美光？

SK 海力士按美元计算下跌了35%，而三星电子和美光分别下跌了16%和15%。新韩证券分析师李相渊将这种分化归因于存储芯片盈利驱动因素从 HBM 转向普通 DRAM（SK 海力士在这一领域的敞口较低）、三星电子扩大 HBM4 供应加剧竞争，以及 SK 海力士7月约40万亿韩元规模的 ADR 上市带来的供给压力。

汇率影响如何影响 KOSPI 相对于美国半导体指数的表现？

KOSPI从6月22日的高点9,114.55下跌了27%，而 SOX 下跌了14%；但同期美元兑韩元汇率从1,537降至1,344，意味着韩元升值，使 KOSPI 以美元计价的跌幅降至17%。计入汇率影响后，KOSPI与 SOX 的差距收窄至3个百分点。

哪些因素将决定 SK 海力士股票能否缩小与三星电子的差距？

新韩证券分析师李相渊表示，差距取决于 HBM 合同条款和额外股东回报。10月底公布的第三季度业绩将成为关键信号，因为届时将同时揭示明年 HBM 定价和供应量对盈利的影响，以及公司承诺宣布的额外股东回报措施的规模和时间表。