据瑞银（UBS）称，三星明年将在 HBM 市场份额上以 41% 超越 SK 海力士

根据 UBS 的说法，三星电子预计明年将超过 SK 海力士（SK Hynix），在 HBM 市场份额上占据领先。瑞士投资银行预测三星将获得 41% 的市场份额，而 SK 海力士为 39%，原因在于三星更早开展第六代 HBM4 的量产，以及在其平泽（Pyeongtaek）和龙仁（Yongin）设施扩产。该预测标志着今年的反转：今年 SK 海力士占 48% 的份额。该变化反映 HBM 市场将从第五代 HBM3E 转向 HBM4，在 2 月三星已向市场出货业界首批 HBM4 量产产品。

UBS 预计明年三星 HBM 份额 41%，SK 海力士为 39%

UBS 分析师 Nicolas Godoy 表示，今年 SK 海力士将凭借 HBM 比特（bit）出货量的 48% 继续保持第一的位置，但明年三星将以 41% 对 39% 的小幅优势反超 SK 海力士。预计美光科技（Micron Technology）将以 20% 的市场份额位居第三。该分析出现在 UBS 关于 SK 海力士美国存托凭证（ADR）的首份研究报告中，报告日期为 1 日。UBS 将该预测归因于三星在 2 月实现行业首创的 HBM4 量产出货，并在平泽（Pyeongtaek）和龙仁（Yongin）设施扩产，从而快速缩小与 SK 海力士之间的差距。

HBM4 将 I/O 通道数翻倍至 2048（原为 1024）

HBM4 代表的是设计架构的变化，而非渐进式升级。尽管 HBM3E 主要通过堆叠最多 12 层 DRAM 芯片来提升存储容量和数据处理速度，但 HBM4 将连接存储器与 GPU 的输入/输出（I/O）通道数量从 1024 翻倍至 2048。这种扩展显著提升带宽——即一次处理的数据量——效果相当于将一条 8 车道高速公路拓宽到 16 车道。英伟达（NVIDIA）为其下一代 AI GPU “Rubin” 采用了 HBM4，以减少 AI 计算中的数据瓶颈。HBM4 的基础芯粒（base die）现需在连接多枚 DRAM 芯片的同时执行交通管理功能，这要求既具备 DRAM 技术，也具备逻辑半导体能力。制造需要使用比人类头发还细的穿硅通孔（through-silicon via，TSV）电极连接、通过混合键合（hybrid bonding）在无缝隙条件下将芯片连接起来，以及封装技术以在芯片同时运行时散热。

三星在平泽（Pyeongtaek）和龙仁（Yongin）扩产 HBM4

英伟达（NVIDIA）在去年前后对采购三星的 HBM3E 表现出不情愿，但正在积极采用 HBM4。AMD 将三星选为主要供应商，并优先采用三星 HBM4 用于其下一代 AI 系统 “Helios”。UBS 的分析指出，三星更早的 HBM4 出货量爬坡导致了 Q2 业绩出现分化：由于 HBM4 出货只在季度后期才逐步形成，SK 海力士的 DRAM 平均销售价格（ASP）仅环比上涨 30%。UBS 将该反转的时间线提前，相较于 5 月报告中预计三星将于明年实现与 SK 海力士的持平。

SK 海力士将年度资本开支上调至 40 万亿韩元区间末段

UBS 表示，在 Q2 财报发布期间，SK 海力士管理层将年度资本开支（capex）指引上调至 40 万亿韩元区间末段。该公司指出，由于其现有产线位于京畿道（Gyeonggi）的利川（Icheon）以及忠清北道（Chungbuk）的清州（Cheongju），扩产速度可能会落后于三星；而三星在平泽（Pyeongtaek）拥有大量可用土地。SK 海力士称已签署 10 份长期供货协议（LTA），包括与美国超大规模客户（hyperscalers）以及主要 OEM 客户的合同。LTA 的续签进展快于预期。UBS 评估认为，这些合同将限制短期定价上行空间，但将从长远来看有利于盈利能力和股东回报。

全球 DRAM 比特增长预测将从 22% 跳至 36%

UBS 强调，市场份额的转移并不意味着 SK 海力士增速放缓。预计全球 DRAM 比特增长将从今年的 22% 激增至明年的 36%。在同一时期，NAND 闪存比特需求增长将从 20% 上升至 23%。由于大部分新增 DRAM 硬盘（wafer）产能被分配给 HBM，而中国以外的 NAND 产能投资在短期内仍较有限，供给难以匹配需求。UBS 预测，结构性供给约束可能将把存储器短缺延续至 2028 年。

常见问题

根据 UBS，明年三星和 SK 海力士在 HBM 领域将占据多少市场份额？
UBS 预计三星将于明年获得 41% 的市场份额，较 SK 海力士的 39% 仅小幅领先。该结果扭转了今年的格局：今年 SK 海力士占 48% 且处于领先地位。

HBM4 与 HBM3E 在技术设计上有什么不同？
HBM4 将 I/O 通道数量从 1024 翻倍至 2048，大幅提升带宽。与专注于堆叠更多 DRAM 层数的 HBM3E 不同，HBM4 将基础芯粒（base die）改为执行交通管理功能，同时需要 DRAM 与逻辑半导体技术。

SK 海力士今年提供了怎样的资本开支指引？
UBS 分析称，SK 海力士管理层在 Q2 财报发布期间，将年度资本开支指引上调至 40 万亿韩元区间末段。