SK 海力士与 SanDisk 宣布首个 HBF 标准规范

SK Hynix 和 SanDisk 于 4 日通过 Open Compute Project（OCP）宣布 High Bandwidth Flash（HBF）技术的首个标准规范。此次宣布与 FMS 2026 活动同期开幕，该活动将于 6 日（当地时间）结束，地点在美国加利福尼亚州的圣克拉拉会议中心。SK Hynix 将在现场推出 HBF 作为核心技术，以解决人工智能（AI）时代的内存瓶颈问题。HBF 代表一种新的内存层级，位于 High Bandwidth Memory（HBM）与 Solid State Drives（SSDs）之间：它融合了类 HBM 的快速数据传输速度，并通过基于 NAND 的可扩展性支持更大的容量。该技术面向因广泛采用 AI 推理而驱动的数据处理需求迅速扩张，在带宽与容量可扩展性方面实现同步提升。

SK Hynix 和 SanDisk 通过 OCP 定义 HBF 技术规范

SK Hynix 基于两种栈式配置，采用 8 层与 16 层 NAND die，定义了最高达 512GB 的 HBF 容量配置。公司建立了三个带宽等级（Grade 1-3），使性能从约 0.4TB/s 提升至 3.0TB/s。该规范采用行业标准 UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）接口，为在不同处理器类型（包括图形处理单元（GPUs）和中央处理单元（CPUs））上灵活集成 HBF 提供基础。UCIe 是一种开放标准的接口规范，旨在实现不同半导体芯粒之间的高速连接。该规范是在 2 月启动的联盟发布之后，约 6 个月推出的首个交付成果；此前，SK Hynix 与 SanDisk 在 8 月宣布了 HBF 标准化协作的初步合作。

随 Google 与 Tenstorrent 参与，HBF 联盟持续扩展

HBF 联盟目前包含 Google 和 Tenstorrent 作为参与成员。SK Hynix 表示，将制定政策以加速 HBF 在 AI 存储市场的采用，并加快生态系统开发。SK Hynix 解决方案开发部负责人 Kim Cheon-seong 表示：“随着 AI 应用的快速扩展，我们已经到了需要重新设计整体数据处理结构的阶段。通过 HBF，我们将致力于拓展内存与存储之间的边界，并落地能够提升整体系统效率的新架构。”

SK Hynix 在 FMS 2026 展示 375 层 4D NAND

SK Hynix 将首次在 FMS 2026 展会上展示其正在开发的第 10 代（V10）375 层 4D NAND 的晶圆与产品。375 层 4D NAND 的单位功耗性能比上一代高 2.5 倍。SK Hynix 计划在明年初开始量产基于该技术的高性能、高容量企业级 SSD，以巩固其在 AI 市场的 NAND 领导地位。

常见问题

SK Hynix 和 SanDisk 宣布的 High Bandwidth Flash（HBF）技术是什么？

HBF 是一种新的内存层级，位于 High Bandwidth Memory（HBM）与 Solid State Drives（SSDs）之间。它将类 HBM 的快速数据传输速度与基于 NAND 的可扩展性结合起来，以支持更大容量，解决 AI 时代数据处理中的内存瓶颈问题。

SK Hynix 为 HBF 定义了哪些技术规格？

SK Hynix 使用 8 层与 16 层 NAND die 的栈式结构，定义了最高达 512GB 的 HBF 容量配置。该规范建立了三个带宽等级（Grade 1-3），使性能从约 0.4TB/s 到 3.0TB/s，并采用 UCIe 行业标准接口以实现处理器的灵活集成。

SK Hynix 何时将开始量产使用其 375 层 4D NAND 的产品？

SK Hynix 计划在明年初开始量产基于其第 10 代（V10）375 层 4D NAND 的高性能、高容量企业级 SSD。